Diskrétní polovodiče
Kategorie
Cena (Ceny jsou uvedeny bez DPH) | Popis | Podrobnosti |
|
MOSFET CAS300M17BM2 N-kanálový 325 A 1700 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET CAS300M17BM2 N-kanálový 325 A 1700 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET C2M1000170J N-kanálový 5,3 A 1700 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET C2M1000170J N-kanálový 5,3 A 1700 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET CAS300M12BM2 N-kanálový 404 A 1200 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET CAS120M12BM2 N-kanálový 193 A 1200 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET CAS120M12BM2 N-kanálový 193 A 1200 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET CAS300M12BM2 N-kanálový 404 A 1200 V, Poloviční můstek, počet kolíků: 7 dvojitý Sériové zapojení SiC
|
|
|
MOSFET C2M1000170D N-kanálový 5 A 1700 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET C2M1000170D N-kanálový 5 A 1700 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET C2M0080120D N-kanálový 31 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET C3M0030090K N-kanálový 63 A 900 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D10120D 38A 1200V Schottkyho SiC, TO-247, počet kolíků: 3 3V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0280090J N-kanálový 11 A 900 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C3D08065A 24A 650V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D04060F 6A 600V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D10060A 10A 600V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0075120J N-kanálový 30 A 1200 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D08120E Vysokonapěťový 24.5A 1200V Schottkyho SiC, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 3V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D04060E 4A 600V Schottkyho SiC, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
Naposledy vyhledávané
