Diskrétní polovodiče
Kategorie
Cena (Ceny jsou uvedeny bez DPH) | Popis | Podrobnosti |
|
Dioda C3D20065D 59A 650V Schottkyho SiC, TO-247, počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D06060G 6A 600V Schottkyho SiC, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Usměrňovací a Schottkyho diody C6D08065A 8A 650V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 1.6V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0065090J N-kanálový 35 A 900 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D05120A 17A 1200V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 3V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C2M0080120D N-kanálový 31 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C3D10065E 32A 650V Schottkyho SiC, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0060065K N-kanálový 37 A 650 V, TO-247-4, počet kolíků: 4
|
|
|
MOSFET C3M0065090J N-kanálový 35 A 900 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
řada: C3MMOSFET C3M0120100J N-kanálový 22 A 1000 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D05120E 19A 1200V Schottkyho SiC, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 3V Schottkyho SiC
|
|
|
Usměrňovací a Schottkyho diody C6D06065A 6A 650V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 1.6V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C2M0025120D N-kanálový 90 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D08120E Vysokonapěťový 24.5A 1200V Schottkyho SiC, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 3V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C4D40120D 113A 1200V Schottkyho SiC, TO-247, počet kolíků: 3 3V Schottkyho SiC
|
|
|
Modul MOSFET CAB011M12FM3 N-kanálový 109 A 1200 V
|
|
|
MOSFET C3M0075120J N-kanálový 30 A 1200 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda CSD01060E-TR 2A 600V Schottkyho SiC, TO-252, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0120090J N-kanálový 22 A 900 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
Dioda C4D10120A 14A 1200V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 3V Schottkyho SiC
|
Naposledy vyhledávané
