Diskrétní polovodiče
Kategorie
Cena (Ceny jsou uvedeny bez DPH) | Popis | Podrobnosti |
|
Modul MOSFET CAB011M12FM3 N-kanálový 109 A 1200 V
|
|
|
řada: C3MMOSFET C3M0120100J N-kanálový 22 A 1000 V, TO-263-7, počet kolíků: 7 Jednoduchý SiC
|
|
|
MOSFET C3M0021120K N-kanálový 100 A 1200 V, TO 247, počet kolíků: 4
|
|
|
MOSFET C3M0060065J N-kanálový 36 A 650 V, TO-263-7, počet kolíků: 7
|
|
|
Dioda C6D08065A 8A 650V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 1.6V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0032120K N-kanálový 63 A 1200 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 Jednoduchý SiC
|
|
|
Usměrňovací a Schottkyho diody CSD01060E-TR 2A 600V Schottkyho SiC, TO-252, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
MOSFET C3M0021120K N-kanálový 100 A 1200 V, TO 247, počet kolíků: 4
|
|
|
Dioda C3D10060A 10A 600V Schottkyho SiC, TO-220, počet kolíků: 2 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D08060G 8A 600V Schottkyho SiC, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D20060D 20A 600V Schottkyho SiC, TO-247, počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
|
|
Dioda C3D10060G 10A 600V Schottkyho SiC, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 2.4V Schottkyho SiC
|
Naposledy vyhledávané
