Infineon

Diskrétní polovodiče

Kategorie

141 - 160 ze 6256 produktů
Porovnat vybrané 0/8
Zobrazit jako:
Cena
(Ceny jsou uvedeny bez DPH)
Popis
Podrobnosti
řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPT020N10N3ATMA1 N-kanálový 300 A 100 V, HSOF-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
  • 74,25 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 2)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPT020N10N3ATMA1 N-kanálový 300 A 100 V, HSOF-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud300 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj100 V
  • ŘadaOptiMOS™ 3
  • Typ baleníHSOF-8
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSC100N06LS3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý
  • 13,36 Kč
    Kus (na civce po 5000)
řada: OptiMOS™ 3MOSFET BSC100N06LS3GATMA1 N-kanálový 50 A 60 V, TDSON, počet kolíků: 8 Jednoduchý
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud50 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj60 V
  • Typ baleníTDSON
  • ŘadaOptiMOS™ 3
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET AUIRLR2905Z N-kanálový 60 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 31,81 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 5)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: HEXFETMOSFET AUIRLR2905Z N-kanálový 60 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud60 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj55 V
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD031N06L3GATMA1 N-kanálový 100 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 22,44 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 10)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD031N06L3GATMA1 N-kanálový 100 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud100 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj60 V
  • ŘadaOptiMOS™ 3
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRF520NPBF N-kanálový 9,7 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 12,49 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 50)
řada: HEXFETMOSFET IRF520NPBF N-kanálový 9,7 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud9,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj100 V
  • Typ baleníTO-220AB
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRFP4468PBF N-kanálový 290 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 141,25 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 25)
řada: HEXFETMOSFET IRFP4468PBF N-kanálový 290 A 100 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud290 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj100 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníTO-247AC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
IGBT modul FS150R12KE3BOSA1 N-kanálový 200 A 1200 V, AG-ECONO3-4 3fázový
  • 4 728,72 Kč
    Kus (na platu z 10)
IGBT modul FS150R12KE3BOSA1 N-kanálový 200 A 1200 V, AG-ECONO3-4 3fázový
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru200 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon700 W
  • Konfigurace3fázový můstek
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: SIPMOS®MOSFET BSP373NH6327XTSA1 N-kanálový 1,7 A 100 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 8,11 Kč
    Kus (na civce po 1000)
řada: SIPMOS®MOSFET BSP373NH6327XTSA1 N-kanálový 1,7 A 100 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud1,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj100 V
  • ŘadaSIPMOS®
  • Typ baleníSOT-223
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
IGBT modul FZ400R12KE3HOSA1 N-kanálový 650 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý
  • 3 296,98 Kč
    Kus (v krabici à10)
IGBT modul FZ400R12KE3HOSA1 N-kanálový 650 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru650 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon2,25 kW
  • KonfiguraceJednoduché
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: HEXFETMOSFET IRLB8721PBF N-kanálový 62 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 24,06 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 5)
řada: HEXFETMOSFET IRLB8721PBF N-kanálový 62 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud62 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníTO-220AB
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRLR8743TRPBF N-kanálový 160 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 24,65 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 10)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: HEXFETMOSFET IRLR8743TRPBF N-kanálový 160 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud160 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRFP260NPBF N-kanálový 50 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 92,63 KčKus
řada: HEXFETMOSFET IRFP260NPBF N-kanálový 50 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud50 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníTO-247AC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
IGBT modul FF150R12YT3BOMA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EASY2, počet kolíků: 9 1MHz Sériové zapojení
  • 832,47 KčKus
IGBT modul FF150R12YT3BOMA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EASY2, počet kolíků: 9 1MHz Sériové zapojení
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru200 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon625 W
  • Typ baleníEASY2
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
IGBT modul FF150R12RT4HOSA1 N-kanálový 150 A 1200 V, AG-34MM-1 Sériové zapojení
  • 2 528,17 Kč
    Kus (na platu z 10)
IGBT modul FF150R12RT4HOSA1 N-kanálový 150 A 1200 V, AG-34MM-1 Sériové zapojení
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru150 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon790 W
  • KonfiguraceŘada
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: OptiMOS™-TMOSFET IPB17N25S3100ATMA1 N-kanálový 17 A 250 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 24,53 Kč
    Kus (na civce po 1000)
řada: OptiMOS™-TMOSFET IPB17N25S3100ATMA1 N-kanálový 17 A 250 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud17 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj250 V
  • ŘadaOptiMOS™-T
  • Typ baleníD2PAK (TO-263)
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Dioda PIN BAR6402VH6327XTSA1 100mA 150V, SC-79, počet kolíků: 2
  • 1,29 Kč
    Kus (na civce po 3000)
Dioda PIN BAR6402VH6327XTSA1 100mA 150V, SC-79, počet kolíků: 2
  • Diodová konfiguraceJednoduchý
  • Počet prvků na čip1
  • Maximální propustný proud100mA
  • Maximální závěrné napětí150V
  • Typická životnost nosiče1550ns
Zobrazit podobné produkty v kategorii PIN diody
IGBT IKW15N120H3FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • 100,53 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 2)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
IGBT IKW15N120H3FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru30 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon217 W
  • Typ baleníTO-247
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: HEXFETMOSFET IRFP260NPBF N-kanálový 50 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 71,92 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 25)
řada: HEXFETMOSFET IRFP260NPBF N-kanálový 50 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud50 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • Typ baleníTO-247AC
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRLR024NTRPBF N-kanálový 17 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 7,65 Kč
    Kus (na civce po 2000)
řada: HEXFETMOSFET IRLR024NTRPBF N-kanálový 17 A 55 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud17 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj55 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: LogicFETMOSFET IRL3803PBF N-kanálový 140 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 47,92 KčKus
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: LogicFETMOSFET IRL3803PBF N-kanálový 140 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud140 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníTO-220AB
  • ŘadaLogicFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Naposledy vyhledávané
Často kladené otázky
Pomoc
Obracejte se na naši zákaznickou službu na čísle:
234 749 737
Služby
O naší společnosti
Aktuální témata
Zavolejte nám
234 749 737
© RS Components Sp. z o.o.
Domaniewska 48, 02-672 Varšava, Polsko
Payment options