Infineon

Diskrétní polovodiče

Kategorie

61 - 80 ze 6256 produktů
Porovnat vybrané 0/8
Zobrazit jako:
Cena
(Ceny jsou uvedeny bez DPH)
Popis
Podrobnosti
řada: SIPMOS®MOSFET SPD09P06PLGBTMA1 P-kanálový 9,7 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 9,08 Kč
    Kus (na civce po 2500)
řada: SIPMOS®MOSFET SPD09P06PLGBTMA1 P-kanálový 9,7 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud9,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj60 V
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
  • ŘadaSIPMOS®
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRF1405PBF N-kanálový 169 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 44,12 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 50)
řada: HEXFETMOSFET IRF1405PBF N-kanálový 169 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud169 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj55 V
  • Typ baleníTO-220AB
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
IGBT modul FP10R12W1T4B11BOMA1 N-kanálový 20 A 1200 V, EASY1B, počet kolíků: 23 1MHz 3fázový
  • 1 008,01 KčKus
IGBT modul FP10R12W1T4B11BOMA1 N-kanálový 20 A 1200 V, EASY1B, počet kolíků: 23 1MHz 3fázový
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru20 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon105 W
  • KonfiguraceCommon Collector
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: HEXFETMOSFET IRF7316TRPBF P-kanálový 4,9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
  • 16,82 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 20)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: HEXFETMOSFET IRF7316TRPBF P-kanálový 4,9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud4,9 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníSOIC
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Tranzistor BFR93AE6327HTSA1 NPN 35 mA 12 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 6000 MHz Jednoduchý
  • 2,41 Kč
    Kus (na civce po 3000)
Tranzistor BFR93AE6327HTSA1 NPN 35 mA 12 V, SOT-23 (TO-236AB), počet kolíků: 3 6000 MHz Jednoduchý
  • Typ tranzistoruNPN
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru35 mA
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru12 V
  • Typ baleníSOT-23 (TO-236AB)
  • Typ montážePovrchová montáž
Zobrazit podobné produkty v kategorii Bipolární tranzistor
Dioda TVS jeden směr TVS3V3L4UE6327HTSA1 4V, SC-74, počet kolíků: 6
  • 5,10 Kč
    Kus (na civce po 3000)
Dioda TVS jeden směr TVS3V3L4UE6327HTSA1 4V, SC-74, počet kolíků: 6
  • Typ směruJednosměrné
  • Maximální svorkové napětí4V
  • Typ montážePovrchová montáž
  • Typ baleníSC-74
  • Počet kolíků6
Zobrazit podobné produkty v kategorii Diody TVS
Modul můstkového usměrňovače DDB6U100N16RRBOSA1 Tři fáze 100A 1600V, počet kolíků: 17, konfigurace: Jednoduchý + IGBT
  • 1 217,06 KčKus
Modul můstkového usměrňovače DDB6U100N16RRBOSA1 Tři fáze 100A 1600V, počet kolíků: 17, konfigurace: Jednoduchý + IGBT
  • Typ můstkuTři fáze
  • Průměrný špičkový propustný proud100A
  • Špičkové závěrné napětí opakovaně1600V
  • Typ montážeMontáž na plošný spoj
  • Počet kolíků17
Zobrazit podobné produkty v kategorii Můstkové usměrňovače
řada: CoolMOS CPMOSFET IPW60R099CPFKSA1 N-kanálový 31 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 95,27 KčKus
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
řada: CoolMOS CPMOSFET IPW60R099CPFKSA1 N-kanálový 31 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud31 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj650 V
  • ŘadaCoolMOS CP
  • Typ baleníTO-247
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Digitální tranzistor BCR503E6327HTSA1 NPN 500 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • 6,82 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 50)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
Digitální tranzistor BCR503E6327HTSA1 NPN 500 mA 50 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • Typ tranzistoruNPN
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru500 mA
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru50 V
  • Typ baleníSOT-23
  • Typ montážePovrchová montáž
Zobrazit podobné produkty v kategorii Bipolární tranzistor
Varaktor BB640E6327HTSA1 pro Tuner 62pF 30V ladicí poměr 19.5, SOD-323, počet kolíků: 2
  • 6,68 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 20)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
Varaktor BB640E6327HTSA1 pro Tuner 62pF 30V ladicí poměr 19.5, SOD-323, počet kolíků: 2
  • Diodová konfiguraceJednoduchý
  • Počet prvků na čip1
  • PoužitíTuner
  • Minimální kapacitance diody62pF
  • Maximální závěrné napětí30V
Zobrazit podobné produkty v kategorii Varaktorové diody
IGBT modul FF200R12KT4HOSA1 N-kanálový 320 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 3 Sériové zapojení
  • 2 317,08 Kč
    Kus (v krabici à10)
IGBT modul FF200R12KT4HOSA1 N-kanálový 320 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 3 Sériové zapojení
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru320 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon1100 W
  • KonfiguraceŘada
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • 137,21 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 2)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
IGBT IKW25N120T2FKSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru50 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon349 W
  • Typ baleníTO-247
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
Tyristorový modul Dioda TDB6HK124N16RRBOSA1 150mA 125A 1600V, Modul 45 mm, počet kolíků: 22
  • 3 163,08 KčKus
Tyristorový modul Dioda TDB6HK124N16RRBOSA1 150mA 125A 1600V, Modul 45 mm, počet kolíků: 22
  • Jmenovitý průměrný proud v zapnutém stavu125A
  • Typ tyristoruDioda
  • Typ baleníModul 45 mm
  • Závěrné napětí při opakované špičce1600V
  • Jmenovitý nárazový proud650A
Zobrazit podobné produkty v kategorii Tyristory
řada: HEXFETMOSFET IRF7103TRPBF N-kanálový 3 A 50 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
  • 8,14 Kč
    Kus (na civce po 4000)
řada: HEXFETMOSFET IRF7103TRPBF N-kanálový 3 A 50 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud3 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj50 V
  • Typ baleníSOIC
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: SIPMOS®Tranzistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1 P-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3
  • 8,51 Kč
    Kus (na civce po 1000)
řada: SIPMOS®Tranzistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1 P-kanálový 1,9 A 60 V, SOT-223, počet kolíků: 3
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud1,9 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj60 V
  • Typ baleníSOT-223
  • ŘadaSIPMOS®
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Digitální tranzistor BCR108SH6327XTSA1 NPN 100 mA 50 V dvojitý, SOT-363 (SC-88), počet kolíků: 6 Izolovaný
  • 5,25 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 50)
  • K dispozici ve standardizovaném průmyslovém balení.
Digitální tranzistor BCR108SH6327XTSA1 NPN 100 mA 50 V dvojitý, SOT-363 (SC-88), počet kolíků: 6 Izolovaný
  • Typ tranzistoruNPN
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru100 mA
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru50 V
  • Typ baleníSOT-363 (SC-88)
  • Typ montážePovrchová montáž
Zobrazit podobné produkty v kategorii Bipolární tranzistor
řada: HEXFETMOSFET IRF9540NSPBF P-kanálový 23 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 43,15 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 5)
řada: HEXFETMOSFET IRF9540NSPBF P-kanálový 23 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud23 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj100 V
  • Typ baleníD2PAK (TO-263)
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
IGBT modul FZ300R12KE3GHOSA1 N-kanálový 480 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý
  • 2 950,91 KčKus
IGBT modul FZ300R12KE3GHOSA1 N-kanálový 480 A 1200 V, Modul 62MM, počet kolíků: 5 1MHz Jednoduchý
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru480 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon1450 W
  • KonfiguraceJednoduché
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
řada: HEXFETMOSFET IRF9Z24NPBF P-kanálový 12 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 13,12 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 50)
řada: HEXFETMOSFET IRF9Z24NPBF P-kanálový 12 A 55 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud12 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj55 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníTO-220AB
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
řada: HEXFETMOSFET IRLML2030TRPBF N-kanálový 2,7 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • 2,15 Kč
    Kus (na civce po 3000)
řada: HEXFETMOSFET IRLML2030TRPBF N-kanálový 2,7 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud2,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníSOT-23
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Naposledy vyhledávané
Často kladené otázky
Pomoc
Obracejte se na naši zákaznickou službu na čísle:
234 749 737
Služby
O naší společnosti
Aktuální témata
Zavolejte nám
234 749 737
© RS Components Sp. z o.o.
Domaniewska 48, 02-672 Varšava, Polsko
Payment options