Infineon

Diskrétní polovodiče

201 - 220 ze 6256 produktů
Porovnat vybrané 0/8
Zobrazit jako:
Cena
(Ceny jsou uvedeny bez DPH)
Popis
Podrobnosti
  • 1 977,24 KčKus
IGBT modul FF100R12RT4HOSA1 N-kanálový 100 A 1200 V, AG-34MM-1 Sériové zapojení
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru100 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon555 W
  • Typ baleníAG-34MM-1
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
  • 19,34 Kč
    Kus (na civce po 2500)
řada: OptiMOS PMOSFET IPD042P03L3GATMA1 P-kanálový 70 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud70 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníDPAK (TO-252)
  • ŘadaOptiMOS P
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 3,04 Kč
    Kus (na civce po 3000)
řada: HEXFETMOSFET IRLML0060TRPBF N-kanálový 2,7 A 60 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud2,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj60 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníSOT-23
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 6,23 Kč
    Kus (na civce po 1000)
Tranzistor Darlington BSP60H6327XTSA1 PNP 1 A 45 V HFE:1000, SOT-223, počet kolíků: 3 + Tab Jednoduchý
  • Typ tranzistoruPNP
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru1 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru45 V
  • Maximální bázové napětí emitoru5 V
  • Typ baleníSOT-223
Zobrazit podobné produkty v kategorii Páry do Darlingtonova zapojení
  • 4,18 Kč
    Kus (na civce po 4000)
řada: HEXFETMOSFET IRF8707TRPBF N-kanálový 11 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud11 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníSOIC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 6 715,69 Kč
    Kus (na platu z 2)
Tyristorový modul PCT TT425N16KOFHPSA3 250mA 471A 1600V, Modul 60 mm, počet kolíků: 7
  • Jmenovitý průměrný proud v zapnutém stavu471A
  • Typ tyristoruPCT
  • Typ baleníModul 60 mm
  • Závěrné napětí při opakované špičce1600V
  • Jmenovitý nárazový proud14500A
Zobrazit podobné produkty v kategorii Tyristory
  • 187,47 KčKus
řada: HEXFETMOSFET IRFP4668PBF N-kanálový 130 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud130 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • Typ baleníTO-247AC
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 33,81 Kč
    Kus (na civce po 1000)
řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPB200N15N3GATMA1 N-kanálový 50 A 150 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud50 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj150 V
  • ŘadaOptiMOS™ 3
  • Typ baleníD2PAK (TO-263)
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 146,41 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 25)
řada: HEXFETMOSFET IRFP4668PBF N-kanálový 130 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud130 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníTO-247AC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 2 497,60 Kč
    Kus (na civce po 15)
Dioda DD89N16KHPSA1 89A 1600V Silikonový přechod, počet kolíků: 3 1.5V
  • Typ montážeMontáž do panelu
  • Maximální stejnosměrný propustný proud89A
  • Špičkové závěrné napětí opakovaně1600V
  • Diodová konfiguraceSériové zapojení
  • Typ usměrňovačeUniverzální použití
Zobrazit podobné produkty v kategorii Schottkyho diody a usměrňovače
  • 1 119,55 Kč
    Kus (na platu z 20)
IGBT modul FF150R12YT3BOMA1 N-kanálový 200 A 1200 V, EASY2, počet kolíků: 9 1MHz Sériové zapojení
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru200 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon625 W
  • Typ baleníEASY2
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
  • 100,53 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 2)
IGBT IKW15N120H3FKSA1 N-kanálový 30 A 1200 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru30 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru1200 V
  • Maximální napětí řídicí elektroda/emitor±20V
  • Maximální ztrátový výkon217 W
  • Typ baleníTO-247
Zobrazit podobné produkty v kategorii IGBT
  • 6,36 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 20)
řada: HEXFETMOSFET IRF8313TRPBF N-kanálový 9,7 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud9,7 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníSOIC
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 4,85 Kč
    Kus (v jednotce baleni à 25)
Dioda PIN BAR6402VH6327XTSA1 100mA 150V, SC-79, počet kolíků: 2
  • Diodová konfiguraceJednoduchý
  • Počet prvků na čip1
  • Maximální propustný proud100mA
  • Maximální závěrné napětí150V
  • Typická životnost nosiče1550ns
Zobrazit podobné produkty v kategorii PIN diody
  • 92,63 KčKus
řada: HEXFETMOSFET IRFP260NPBF N-kanálový 50 A 200 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud50 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníTO-247AC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 8,57 Kč
    Kus (na civce po 4000)
řada: HEXFETMOSFET IRF7241TRPBF P-kanálový 6,2 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluP
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud6,2 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj40 V
  • ŘadaHEXFET
  • Typ baleníSOIC
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 17,85 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 50)
řada: HEXFETMOSFET IRLB8721PBF N-kanálový 62 A 30 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud62 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj30 V
  • Typ baleníTO-220AB
  • ŘadaHEXFET
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 3,48 Kč
    Kus (na civce po 1000)
Tranzistor BCP5616H6327XTSA1 NPN 1 A 80 V, SOT-223 (SC-73), počet kolíků: 3 + Tab 100 MHz Jednoduchý
  • Typ tranzistoruNPN
  • Maximální stejnosměrný proud kolektoru1 A
  • Maximální napětí emitoru/kolektoru80 V
  • Typ baleníSOT-223 (SC-73)
  • Typ montážePovrchová montáž
Zobrazit podobné produkty v kategorii Bipolární tranzistor
  • 12,52 Kč
    Kus (na civce po 1000)
řada: SIPMOS®MOSFET BSP149H6327XTSA1 N-kanálový 660 mA 200 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud660 mA
  • Maximální napětí kolektor/zdroj200 V
  • ŘadaSIPMOS®
  • Typ baleníSOT-223
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
  • 118,62 Kč
    Kus (v zasuvnem prutu s 30)
řada: CoolMOS CPMOSFET IPW60R125CPFKSA1 N-kanálový 25 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
  • Typ kanáluN
  • Maximální stejnosměrný odběrový proud25 A
  • Maximální napětí kolektor/zdroj650 V
  • Typ baleníTO-247
  • ŘadaCoolMOS CP
Zobrazit podobné produkty v kategorii MOSFET
Naposledy vyhledávané
Často kladené otázky
Pomoc
Obracejte se na naši zákaznickou službu na čísle:
234 749 737