řada: F4-17MR12W1M1H_B76 MOSFET F417MR12W1M1HB76BPSA1 Typ N-kanálový 45 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 084,64 Kč

(bez DPH)

6 152,41 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 24 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +5 084,64 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-252
Výrobní číslo:
F417MR12W1M1HB76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

F4-17MR12W1M1H_B76

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

34.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 1200 V, 17 mΩ G1 s technologií NTC a kontaktem PressFIT. Tento MOSFET je navržen v nejlepším balení ve své třídě a nabízí kompaktní výšku 12 mm pro efektivní využití prostoru. Využívá nejmodernější materiály se širokým pásmovým rozpětím, které zajišťují vyšší energetickou účinnost a výkon. Díky velmi nízké bludné indukčnosti modulu minimalizuje ztráty výkonu a zlepšuje dynamiku spínání.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy