řada: EasyPACK MOSFET F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 Typ N-kanálový 65 A 1200 V, Lávka Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

7 832,78 Kč

(bez DPH)

9 477,66 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +7 832,78 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-248
Výrobní číslo:
F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

65A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

EasyPACK

Typ balení

Lávka

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

16mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 3 úrovně v topologii NPC2 1200 V, 11 mΩ G1 s NTC, předřazeným materiálem tepelného rozhraní a technologií kontaktů PressFIT. MOSFET se vyznačuje nejlepším balením ve své třídě s kompaktní výškou pouhých 12 mm, které je navrženo pro optimální výkon ve výkonové elektronice. Využívá nejmodernější materiály se širokým pásmovým rozpětím, což zvyšuje jeho účinnost a spolehlivost. Konstrukce zahrnuje velmi nízkou rozptylovou indukčnost modulu, což zajišťuje minimální ztráty výkonu a lepší chování při spínání.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy