řada: FF11MR12W2M1HP_B11 MOSFET FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

4 806,31 Kč

(bez DPH)

5 815,64 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +4 806,31 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-976
Výrobní číslo:
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

75A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

FF11MR12W2M1HP_B11

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

23.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Modul Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge je navržen pro vysoce výkonné napájecí aplikace a nabízí nejlepší pouzdro ve své třídě s kompaktní výškou 12 mm. Využívá špičkový materiál s širokou pásmovou mezerou (WBG), který zajišťuje vyšší energetickou účinnost a tepelný výkon. Modul je navržen s velmi nízkou bludnou indukčností, což minimalizuje ztráty výkonu a zvyšuje rychlost spínání.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy

Recently viewed