řada: FF11MR12W2M1HP_B11 MOSFET FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 75 A 1.2 kV, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

2 027,38 Kč

(bez DPH)

2 453,13 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +2 027,38 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-976
Výrobní číslo:
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

75A

Maximální napětí na zdroji Vds

1.2kV

Řada

FF11MR12W2M1HP_B11

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

23.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Modul Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge je navržen pro vysoce výkonné napájecí aplikace a nabízí nejlepší pouzdro ve své třídě s kompaktní výškou 12 mm. Využívá špičkový materiál s širokou pásmovou mezerou (WBG), který zajišťuje vyšší energetickou účinnost a tepelný výkon. Modul je navržen s velmi nízkou bludnou indukčností, což minimalizuje ztráty výkonu a zvyšuje rychlost spínání.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.