řada: FS13MR12W2M1H_C55 MOSFET FS13MR12W2M1HC55BPSA1 Typ N-kanálový 62.5 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

9 786,14 Kč

(bez DPH)

11 841,23 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +9 786,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-979
Výrobní číslo:
FS13MR12W2M1HC55BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

62.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

EasyPACK

Řada

FS13MR12W2M1H_C55

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

21.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.35V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Šestičlánkový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 13 mΩ integruje technologii CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 pro vysoce výkonné výkonové aplikace. Je umístěn v nejlepším balení ve své třídě s kompaktní výškou 12 mm a poskytuje optimální prostorovou efektivitu bez ztráty výkonu. Modul je vyroben ze špičkových materiálů s širokým pásmovým rozpětím (WBG), které zajišťují vynikající účinnost, tepelný výkon a spolehlivost.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Lepší tepelná vodivost materiálu DCB

Související odkazy