řada: FS13MR12W2M1H_C55 MOSFET FS13MR12W2M1HC55BPSA1 N-kanálový 62.5 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 348-979
- Výrobní číslo:
- FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 jednotka)*
4 116,75 Kč
(bez DPH)
4 981,27 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 4 116,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-979
- Výrobní číslo:
- FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 62.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | EasyPACK | |
| Řada | FS13MR12W2M1H_C55 | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 21.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Přímé napětí Vf | 5.35V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 20mW | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 62.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení EasyPACK | ||
Řada FS13MR12W2M1H_C55 | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Maximální odpor zdroje Rds 21.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Přímé napětí Vf 5.35V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 20mW | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Šestičlánkový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 13 mΩ integruje technologii CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 pro vysoce výkonné výkonové aplikace. Je umístěn v nejlepším balení ve své třídě s kompaktní výškou 12 mm a poskytuje optimální prostorovou efektivitu bez ztráty výkonu. Modul je vyroben ze špičkových materiálů s širokým pásmovým rozpětím (WBG), které zajišťují vynikající účinnost, tepelný výkon a spolehlivost.
Vynikající účinnost modulu
Výhody systému z hlediska nákladů
Zlepšení účinnosti systému
Snížené nároky na chlazení
Umožnění vyšší frekvence
Zvýšení hustoty výkonu
Lepší tepelná vodivost materiálu DCB
Související odkazy
- řada: FS13MR12W2M1H_C55 MOSFET FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET FS33MR12W1M1HB70BPSA1 N-kanálový 25 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: FF11MR12W2M1H_B70 MOSFET FF11MR12W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: FF11MR12W2M1HP_B11 MOSFET FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: EasyPACK MOSFET F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1 N-kanálový 65 A 1200 V, Lávka Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET F48MR12W2M1HPB76BPSA1 N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: F4-17MR12W1M1H_B76 MOSFET F417MR12W1M1HB76BPSA1 N-kanálový 45 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: F4-17MR12W1M1HP_B76 MOSFET F433MR12W1M1HB76BPSA1 N-kanálový 25 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení