řada: F4-11MR12W2M1H_B70 MOSFET F411MR12W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

8 859,32 Kč

(bez DPH)

10 719,78 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 15 jednotka(y) budou odesílané od 26. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +8 859,32 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-249
Výrobní číslo:
F411MR12W2M1HB70BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

75A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

EasyPACK

Řada

F4-11MR12W2M1H_B70

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

20.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 11 mΩ G1 s NTC, technologií kontaktů PressFIT a keramikou z nitridu hliníku. MOSFET je navržen s nejlepším balením ve své třídě a má kompaktní výšku 12,25 mm, což optimalizuje prostor při zachování výjimečného výkonu. Využívá nejmodernější materiály se širokým pásmovým rozpětím, které nabízejí vynikající účinnost a spolehlivost v náročných aplikacích. Modul je navržen s velmi nízkou bludnou indukčností, což minimalizuje ztráty energie a zlepšuje celkový spínací výkon.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Lepší tepelná vodivost materiálu DCB

Související odkazy

Recently viewed