řada: F4-11MR12W2M1H_B70 MOSFET F411MR12W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 75 A 1.2 kV, EasyPACK Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 349-249
- Výrobní číslo:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 jednotka)*
4 035,24 Kč
(bez DPH)
4 882,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 4 035,24 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 349-249
- Výrobní číslo:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 75A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.2kV | |
| Typ balení | EasyPACK | |
| Řada | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23V | |
| Přímé napětí Vf | 5.35V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 20mW | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 75A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.2kV | ||
Typ balení EasyPACK | ||
Řada F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23V | ||
Přímé napětí Vf 5.35V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 20mW | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 11 mΩ G1 s NTC, technologií kontaktů PressFIT a keramikou z nitridu hliníku. MOSFET je navržen s nejlepším balením ve své třídě a má kompaktní výšku 12,25 mm, což optimalizuje prostor při zachování výjimečného výkonu. Využívá nejmodernější materiály se širokým pásmovým rozpětím, které nabízejí vynikající účinnost a spolehlivost v náročných aplikacích. Modul je navržen s velmi nízkou bludnou indukčností, což minimalizuje ztráty energie a zlepšuje celkový spínací výkon.
Vynikající účinnost modulu
Výhody systému z hlediska nákladů
Zlepšení účinnosti systému
Snížené nároky na chlazení
Umožnění vyšší frekvence
Zvýšení hustoty výkonu
Lepší tepelná vodivost materiálu DCB
Související odkazy
- řada: F4-11MR12W2M1H_B70 MOSFET F411MR12W2M1HPB76BPSA1 N-kanálový 60 A 1200 V Infineon Vylepšení
- řada: F4-17MR12W1M1H_B76 MOSFET F417MR12W1M1HB76BPSA1 N-kanálový 45 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: F4-17MR12W1M1HP_B76 MOSFET F433MR12W1M1HB76BPSA1 N-kanálový 25 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: F4-17MR12W1M1HP_B76 MOSFET F417MR12W1M1HPB76BPSA1 N-kanálový 45 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: F4-8MR12W2M1H_B70 MOSFET F48MR12W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: FF11MR12W2M1H_B70 MOSFET FF11MR12W2M1HB70BPSA1 N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: FF11MR12W2M1HP_B11 MOSFET FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: FS13MR12W2M1H_C55 MOSFET FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 N-kanálový 50 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení