řada: F4-17MR12W1M1HP_B76 MOSFET F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Typ N-kanálový 45 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

5 424,53 Kč

(bez DPH)

6 563,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 30 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +5 424,53 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-966
Výrobní číslo:
F417MR12W1M1HPB76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

45A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

F4-17MR12W1M1HP_B76

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

34.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpáskový modul Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 1200 V, 17 mΩ G1 s NTC, přednastaveným materiálem tepelného rozhraní a technologií kontaktů PressFIT. Tento tranzistor MOSFET je vyroben v nejlepším balení ve své třídě a má kompaktní výšku 12 mm pro efektivní integraci. Využívá špičkové materiály s širokým pásmovým rozpětím, které zvyšují výkon a energetickou účinnost. Konstrukce nabízí velmi nízkou bludnou indukčnost modulu, což snižuje ztráty výkonu a zlepšuje spínací charakteristiky. Je vybaven zdokonaleným tranzistorem CoolSiC MOSFET Gen 1 a poskytuje vynikající tepelný výkon a spolehlivost.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy