řada: FF11MR12W2M1H_B70 MOSFET FF11MR12W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 75 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

6 558,69 Kč

(bez DPH)

7 936,01 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +6 558,69 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-975
Výrobní číslo:
FF11MR12W2M1HB70BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

75A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

EasyPACK

Řada

FF11MR12W2M1H_B70

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

20.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Modul Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge kombinuje špičkovou technologii s vynikajícím designem pro vysoce výkonné napájecí aplikace. Díky nejlepšímu balení ve své třídě a kompaktní výšce 12,25 mm optimalizuje prostor i výkon. Modul využívá špičkový materiál s širokým pásmovým rozpětím (WBG), který zajišťuje vyšší energetickou účinnost, tepelný výkon a spolehlivost. Velmi nízká rozptylová indukčnost modulu minimalizuje ztráty výkonu a zlepšuje chování při spínání.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Lepší tepelná vodivost materiálu DCB

Související odkazy