řada: FS13MR12W2M1H_C55 MOSFET FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 50 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

10 841,94 Kč

(bez DPH)

13 118,75 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +10 841,94 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-980
Výrobní číslo:
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

50A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

FS13MR12W2M1H_C55

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

25mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Šestičlánkový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET obsahuje technologii CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1, která poskytuje výjimečný výkon pro výkonové aplikace. Je dodáván v nejlepším balení ve své třídě s kompaktní výškou 12 mm, což zajišťuje efektivní využití prostoru při zachování vysokého výkonu. Modul využívá špičkové materiály s širokým pásmovým rozpětím (WBG), které nabízejí vynikající účinnost a tepelnou správu.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy