řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

9 894,00 Kč

(bez DPH)

11 971,74 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +9 894,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-971
Výrobní číslo:
F48MR12W2M1HPB76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

CoolSiC Trench MOSFET

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

17.4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET je navržen pro vysoce výkonné napájecí aplikace a obsahuje ve své třídě nejlepší balení s kompaktní výškou 12 mm pro efektivní využití prostoru. Je vybaven špičkovým materiálem Wide Bandgap (WBG), který zvyšuje energetickou účinnost a tepelný výkon. Díky velmi nízké rozptylové indukčnosti modulu tento modul minimalizuje ztráty výkonu a zvyšuje rychlost spínání pro efektivnější provoz.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy

Recently viewed