řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 150 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 348-978
- Výrobní číslo:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 jednotka)*
8 861,35 Kč
(bez DPH)
10 722,23 Kč
(s DPH)
Přidejte 1 jednotka pro dopravu zdarma
Skladem
- 18 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 + | 8 861,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 348-978
- Výrobní číslo:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 150A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Typ balení | EasyDUAL | |
| Typ montáže | Šroubová svorka | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 11.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 5.35V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 23 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 20mW | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 150A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada CoolSiC Trench MOSFET | ||
Typ balení EasyDUAL | ||
Typ montáže Šroubová svorka | ||
Maximální odpor zdroje Rds 11.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 5.35V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 23 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 20mW | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- DE
Modul Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET Half-Bridge je navržen tak, aby poskytoval vysoce výkonná napájecí řešení s nejlepším balením ve své třídě, které se vyznačuje kompaktní výškou 12 mm pro efektivní využití prostoru. Modul využívá špičkové materiály s širokým pásmovým rozpětím (WBG), které zajišťují vynikající účinnost, spolehlivost a tepelný výkon. Díky velmi nízké bludné indukčnosti modulu zajišťuje minimalizaci ztrát výkonu a lepší dynamiku spínání. Modul je napájen zdokonaleným tranzistorem CoolSiC MOSFET Gen 1, který nabízí lepší tepelnou správu a účinnost, takže je ideální pro náročné výkonové aplikace.
Vynikající účinnost modulu
Výhody systému z hlediska nákladů
Zlepšení účinnosti systému
Snížené nároky na chlazení
Umožnění vyšší frekvence
Zvýšení hustoty výkonu
Související odkazy
- řada: CoolSiCTM Trench MOSFET MOSFET FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 200 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC Trench MOSFET MOSFET F48MR12W2M1HPB76BPSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC MOSFET FS33MR12W1M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 25 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R024M1HXKSA1 Typ N-kanálový 89 A 2000 V Infineon,
- řada: CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET MOSFET IMYH200R012M1HXKSA1 Typ N-kanálový 60 A 2000 V Infineon,
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
