řada: CoolSiCTM Trench MOSFET MOSFET FF4MR12W2M1HPB11BPSA1 Typ N-kanálový 200 A 1200 V, EasyDUAL Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

11 164,02 Kč

(bez DPH)

13 508,46 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 18 jednotka(y) budou odesílané od 27. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +11 164,02 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-253
Výrobní číslo:
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

200A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

EasyDUAL

Řada

CoolSiCTM Trench MOSFET

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

8.7mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.35V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Polomůstkový modul Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET je 1200V modul s nízkým odporem hradla G1 4 mΩ a je vybaven integrovaným teplotním čidlem NTC pro přesné monitorování teploty. Obsahuje také předem nanesený materiál tepelného rozhraní pro lepší odvod tepla a využívá kontaktní technologii PressFIT, která zajišťuje spolehlivé a účinné elektrické připojení. Tento modul je určen pro vysoce výkonné aplikace, kde je důležitá účinná konverze energie a tepelné řízení.

Robustní montáž díky integrovaným montážním svorkám

Kontaktní technologie PressFIT

Integrovaný teplotní senzor NTC

Předem nanesený materiál tepelného rozhraní

Související odkazy