MOSFET FF3MR12KM1HPHPSA1 Typ N-kanálový 280 A 1200 V Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

11 694,71 Kč

(bez DPH)

14 150,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 8 jednotka(y) budou odesílané od 25. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +11 694,71 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-316
Výrobní číslo:
FF3MR12KM1HPHPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

280A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

6.32mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

5.59V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

60749, 60068, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU
Modul CoolSiC MOSFET Half-Bridge 62 mm společnosti Infineon je navržen ve známém pouzdře o průměru 62 mm a integruje technologii čipu M1H pro vysoce výkonné výkonové aplikace. Tento modul nabízí vysokou proudovou hustotu, takže je ideální pro systémy s omezeným prostorem, které vyžadují robustní výkon. Díky nízkým spínacím ztrátám zajišťuje vyšší účinnost při vysokých spínacích frekvencích. Vynikající spolehlivost oxidu hradla zvyšuje odolnost a prodlužuje provozní životnost modulu v náročných podmínkách.

Minimalizuje nároky na chlazení

Zmenšení objemu a velikosti

Snížení nákladů na systém

Symetrické provedení modulu

Standardní konstrukční technika

Související odkazy