MOSFET FF3MR12KM1HPHPSA1 Typ N-kanálový 280 A 1200 V Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

16 685,73 Kč

(bez DPH)

20 189,73 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 8 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +16 685,73 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-316
Výrobní číslo:
FF3MR12KM1HPHPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

280A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

6.32mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

5.59V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

60749, 60068, IEC 60747

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU
Modul CoolSiC MOSFET Half-Bridge 62 mm společnosti Infineon je navržen ve známém pouzdře o průměru 62 mm a integruje technologii čipu M1H pro vysoce výkonné výkonové aplikace. Tento modul nabízí vysokou proudovou hustotu, takže je ideální pro systémy s omezeným prostorem, které vyžadují robustní výkon. Díky nízkým spínacím ztrátám zajišťuje vyšší účinnost při vysokých spínacích frekvencích. Vynikající spolehlivost oxidu hradla zvyšuje odolnost a prodlužuje provozní životnost modulu v náročných podmínkách.

Minimalizuje nároky na chlazení

Zmenšení objemu a velikosti

Snížení nákladů na systém

Symetrické provedení modulu

Standardní konstrukční technika

Související odkazy