MOSFET FF3MR12KM1HHPSA1 Typ N-kanálový 185 A 1200 V Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

16 440,99 Kč

(bez DPH)

19 893,60 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 10 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +16 440,99 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
349-315
Výrobní číslo:
FF3MR12KM1HHPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

185A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

6.32mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

5.59V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
HU
Modul CoolSiC MOSFET Half-Bridge 62 mm společnosti Infineon je uložen ve známém 62mm balení a kombinuje nejnovější technologii čipů M1H pro optimální výkon. Tento modul poskytuje vysokou proudovou hustotu, takže je ideální pro aplikace, které vyžadují kompaktní, ale výkonná řešení. Nabízí nízké spínací ztráty, které zajišťují efektivní provoz i při vysokých frekvencích, a vyznačuje se vynikající spolehlivostí oxidu hradla, což zvyšuje jeho trvanlivost v průběhu času.

Minimalizuje nároky na chlazení

Zmenšení objemu a velikosti

Snížení nákladů na systém

Symetrické provedení modulu

Standardní konstrukční technika

Související odkazy