řada: F4-8MR12W2M1H_B70 MOSFET F48MR12W2M1HB70BPSA1 Typ N-kanálový 100 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

10 898,42 Kč

(bez DPH)

13 187,09 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +10 898,42 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-969
Výrobní číslo:
F48MR12W2M1HB70BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Řada

F4-8MR12W2M1H_B70

Typ balení

EasyPACK

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

15.1mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

IEC 60747, 60068, 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 1200 V, 8 mΩ G1 s NTC, technologií kontaktů PressFIT a keramikou z nitridu hliníku. Tento tranzistor MOSFET nabízí ve své třídě nejlepší balení s kompaktní výškou 12 mm, které optimalizuje prostor i výkon. Je vybaven špičkovými materiály se širokým pásmovým rozpětím (WBG), které zajišťují vynikající účinnost a výkon. Konstrukce zahrnuje velmi nízkou rozptylovou indukčnost modulu, což minimalizuje ztráty výkonu a zlepšuje dynamiku spínání. Je vybaven zdokonaleným tranzistorem CoolSiC MOSFET Gen 1 a poskytuje vynikající tepelný výkon a spolehlivost.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy