řada: F4-17MR12W1M1HP_B76 MOSFET F433MR12W1M1HB76BPSA1 Typ N-kanálový 25 A 1200 V, EasyPACK Infineon Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 jednotka)*

3 072,76 Kč

(bez DPH)

3 718,04 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 24 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
1 +3 072,76 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
348-968
Výrobní číslo:
F433MR12W1M1HB76BPSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

1200V

Typ balení

EasyPACK

Řada

F4-17MR12W1M1HP_B76

Typ montáže

Šroubová svorka

Maximální odpor zdroje Rds

69.4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-40°C

Přímé napětí Vf

5.35V

Maximální ztrátový výkon Pd

20mW

Maximální napětí zdroje brány Vgs

23 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
DE
Čtyřpásmový modul Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 1200 V, 33 mΩ G1 s technologií NTC a kontaktem PressFIT. Tento tranzistor MOSFET má ve své třídě nejlepší balení s kompaktní výškou 12 mm, které umožňuje efektivní využití prostoru bez snížení výkonu. Obsahuje špičkové materiály s širokým pásmovým rozpětím (WBG), které zajišťují lepší účinnost a vyšší výkon. Konstrukce se také vyznačuje velmi nízkou rozptylovou indukčností modulu, což snižuje ztráty výkonu a optimalizuje spínací výkon.

Vynikající účinnost modulu

Výhody systému z hlediska nákladů

Zlepšení účinnosti systému

Snížené nároky na chlazení

Umožnění vyšší frekvence

Zvýšení hustoty výkonu

Související odkazy