řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 60 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-3687
- Výrobní číslo:
- SiR188DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 178-3687
- Výrobní číslo:
- SiR188DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.7W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.99mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Výška | 1.07mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.7W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.99mm | ||
Šířka 5mm | ||
Výška 1.07mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR186LDP-T1-RE3 N-kanálový 80.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRS4600EPW-T1-RE3 N-kanálový 373 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR880BDP-T1-RE3 N-kanálový 70.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR876BDP-T1-RE3 N-kanálový 51.4 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení