řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-3875
- Výrobní číslo:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
290,47 Kč
(bez DPH)
351,47 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 13. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 58,094 Kč | 290,47 Kč |
| 50 - 95 | 48,412 Kč | 242,06 Kč |
| 100 - 495 | 37,594 Kč | 187,97 Kč |
| 500 - 995 | 32,95 Kč | 164,75 Kč |
| 1000 + | 29,59 Kč | 147,95 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3875
- Výrobní číslo:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56.8W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.99mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.07mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56.8W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.99mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.07mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Low thermal resistance PowerPAK® package
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI7469ADP-T1-RE3 Typ P-kanálový 46 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7454FDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 23.5 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR681DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 71.9 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení