řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-3665
- Výrobní číslo:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Mezisoučet (3000 jednotky/-ek, v kotouči po 3000 ks)*
58 866,00 Kč
(bez DPH)
71 229,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 19,622 Kč | 58 866,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3665
- Výrobní číslo:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 110mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56.8W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.07mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5mm | |
| Délka | 5.99mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 110mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56.8W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.07mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5mm | ||
Délka 5.99mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Low thermal resistance PowerPAK® package
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR570DP-T1-RE3 N-kanálový 77.4 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7454FDP-T1-RE3 N-kanálový 23.5 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR450DP-T1-RE3 N-kanálový 113 A 45 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR668DP-T1-RE3 N-kanálový 65 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR680DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení