řada: TrenchFET MOSFET SiR876BDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 51.4 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2912
- Výrobní číslo:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
329,00 Kč
(bez DPH)
398,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 18 710 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 32,90 Kč | 329,00 Kč |
| 100 - 240 | 30,974 Kč | 309,74 Kč |
| 250 - 490 | 28,01 Kč | 280,10 Kč |
| 500 - 990 | 26,33 Kč | 263,30 Kč |
| 1000 + | 24,70 Kč | 247,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2912
- Výrobní číslo:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51.4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42.7nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 71.4W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51.4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42.7nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 71.4W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay TrenchFET N-kanál je 100 v MOSFET.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 51.4 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR680DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR668DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 65 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR681DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 71.9 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiR880BDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 70.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení