řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

237,32 Kč

(bez DPH)

287,16 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 020 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
10 +23,732 Kč237,32 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3895
Výrobní číslo:
SiR188DP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

TrenchFET

Typ balení

SO-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

4mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

29nC

Maximální ztrátový výkon Pd

65.7W

Maximální provozní teplota

150°C

Délka

5.99mm

Šířka

5 mm

Výška

1.07mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Související odkazy