řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 178-3670
- Výrobní číslo:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 178-3670
- Výrobní číslo:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900μΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | +20V, +6V | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.99mm | |
| Šířka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.07mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900μΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs +20V, +6V | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.99mm | ||
Šířka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.07mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiDR392DP MOSFET SIDR392DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA20BDP-T1-GE3 N-kanálový 335 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení