řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

85 818,00 Kč

(bez DPH)

103 839,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 13. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +28,606 Kč85 818,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
178-3670
Výrobní číslo:
SiDR392DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

900μΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

6 V

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

125nC

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

5 mm

Délka

5.99mm

Normy/schválení

No

Výška

1.07mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Související odkazy