řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 178-3670
- Výrobní číslo:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
85 818,00 Kč
(bez DPH)
103 839,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. srpna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 28,606 Kč | 85 818,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3670
- Výrobní číslo:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900μΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.99mm | |
| Výška | 1.07mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900μΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.99mm | ||
Výška 1.07mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 14.2 A 100 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 50 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení