řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

27 252,00 Kč

(bez DPH)

32 976,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • Posledních 12 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +9,084 Kč27 252,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
178-3701
Výrobní číslo:
SiSS12DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

TrenchFET

Typ balení

PowerPAK 1212

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

59nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

65.7W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

1.07mm

Šířka

3.15 mm

Délka

3.15mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV

Velmi nízká hodnota RDS(on) v kompaktním pouzdře s vylepšenými tepelnými parametry

Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání

Související odkazy