řada: TrenchFET MOSFET SiDR392DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay Siliconix, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

311,42 Kč

(bez DPH)

376,82 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 820 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4562,284 Kč311,42 Kč
50 - 9555,868 Kč279,34 Kč
100 - 49552,942 Kč264,71 Kč
500 - 99549,764 Kč248,82 Kč
1000 +43,536 Kč217,68 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3934
Výrobní číslo:
SiDR392DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

100A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

TrenchFET

Typ balení

SO-8

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

900μΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

6 V

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

125nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.07mm

Délka

5.99mm

Normy/schválení

No

Šířka

5 mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Související odkazy