řada: TrenchFET MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 178-3920
- Výrobní číslo:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
238,36 Kč
(bez DPH)
288,42 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 14 910 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 23,836 Kč | 238,36 Kč |
| 100 - 490 | 20,303 Kč | 203,03 Kč |
| 500 - 990 | 17,833 Kč | 178,33 Kč |
| 1000 + | 15,536 Kč | 155,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 178-3920
- Výrobní číslo:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay Siliconix
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay Siliconix | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.7W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.15 mm | |
| Výška | 1.07mm | |
| Délka | 3.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay Siliconix | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.7W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.15 mm | ||
Výška 1.07mm | ||
Délka 3.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výjimka
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Velmi nízká hodnota RDS(on) v kompaktním pouzdře s vylepšenými tepelnými parametry
Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiS110DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 14.2 A 100 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 14.2 A 100 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiSH892BDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 20 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiSS54DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 185.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET Si7252ADP-T1-GE3 Typ N-kanálový 13.1 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- řada: TrenchFET MOSFET SI7116BDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 65 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiS178LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 45.3 A 70 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový