řada: TrenchFET MOSFET SiSS12DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 40 V Vishay Siliconix, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

238,36 Kč

(bez DPH)

288,42 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9023,836 Kč238,36 Kč
100 - 49020,303 Kč203,03 Kč
500 - 99017,833 Kč178,33 Kč
1000 +15,536 Kč155,36 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
178-3920
Výrobní číslo:
SiSS12DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay Siliconix
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay Siliconix

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Řada

TrenchFET

Typ balení

PowerPAK 1212

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

2mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

65.7W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

59nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

3.15mm

Výška

1.07mm

Automobilový standard

Ne

Výjimka

Země původu (Country of Origin):
CN
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV

Velmi nízká hodnota RDS(on) v kompaktním pouzdře s vylepšenými tepelnými parametry

Optimalizované hodnoty Qg, Qgd a poměr Qgd/Qgs snižují výkonové ztráty v důsledku spínání

Související odkazy