řada: TrenchFET MOSFET SiR450DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 113 A 45 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

212,17 Kč

(bez DPH)

256,725 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4542,434 Kč212,17 Kč
50 - 24539,916 Kč199,58 Kč
250 - 49536,062 Kč180,31 Kč
500 - 124533,988 Kč169,94 Kč
1250 +31,814 Kč159,07 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
228-2899
Výrobní číslo:
SiR450DP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

113A

Maximální napětí na zdroji Vds

45V

Typ balení

SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

1.8mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Maximální ztrátový výkon Pd

48W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

75.5nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Vishay TrenchFET N-kanál je 45 v MOSFET.

Testováno 100 % RG a UIS

Související odkazy