řada: TrenchFET MOSFET SiR510DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 126 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 228-2904
- Výrobní číslo:
- SiR510DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
354,20 Kč
(bez DPH)
428,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 260 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 70,84 Kč | 354,20 Kč |
| 50 - 120 | 63,676 Kč | 318,38 Kč |
| 125 - 245 | 56,662 Kč | 283,31 Kč |
| 250 - 495 | 51,672 Kč | 258,36 Kč |
| 500 + | 44,658 Kč | 223,29 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 228-2904
- Výrobní číslo:
- SiR510DP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 126A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 104W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 126A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 104W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay TrenchFET N-kanál je 100 v MOSFET.
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 126 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR5406DP-T1-UE3 N kanál-kanálový 126 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SIR680DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR668DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 65 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA90DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Si7190ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 14.4 A 250 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR188DP-T1-RE3 Typ N-kanálový 60 A 60 V Vishay Siliconix počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: TrenchFET MOSFET SiR681DP-T1-RE3 Typ P-kanálový 71.9 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení