řada: SQD Jednoduché tranzistory MOSFET SQD50P04-13L_NE3 P-kanál-kanálový 50 A 40 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3
- Skladové číslo RS:
- 829-350
- Výrobní číslo:
- SQD50P04-13L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
21,00 Kč
(bez DPH)
25,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 24 | 21,00 Kč |
| 25 - 99 | 20,50 Kč |
| 100 - 499 | 19,76 Kč |
| 500 - 999 | 17,29 Kč |
| 1000 + | 16,06 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 829-350
- Výrobní číslo:
- SQD50P04-13L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SQD | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.013Ω | |
| Režim kanálu | Režim vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 136W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.1mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Šířka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SQD | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.013Ω | ||
Režim kanálu Režim vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 60nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 136W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.1mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Šířka 6.5mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- GB
Výkonový MOSFET Vishay nabízí vysoce výkonné spínací funkce, které jsou speciálně navrženy pro automobilové aplikace a zajišťují spolehlivost a účinnost v náročných podmínkách.
Technologie TrenchFET zvyšuje účinnost napájení
Nízký tepelný odpor umožňuje efektivní řízení tepla
Robustní certifikace AEC-Q101 zajišťuje vysoce kvalitní výkon
Testováno na 100 % Rg a UIS pro spolehlivost v provozu