AEC-Q101, řada: RD3P08BBLHRB Jednoduché tranzistory MOSFET RD3P08BBLHRBTL Typ P-kanálový 100 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-355
- Výrobní číslo:
- RD3P08BBLHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
168,95 Kč
(bez DPH)
204,43 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 96 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 84,475 Kč | 168,95 Kč |
| 20 - 98 | 74,595 Kč | 149,19 Kč |
| 100 - 198 | 66,815 Kč | 133,63 Kč |
| 200 + | 52,49 Kč | 104,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-355
- Výrobní číslo:
- RD3P08BBLHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | RD3P08BBLHRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 10.50mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada RD3P08BBLHRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 10.50mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s N-kanálem je navržen pro robustní aplikace vyžadující efektivní spínání. S maximálním jmenovitým napětím 100 V a nepřetržitým vypouštěcím proudem 80 A zajišťuje tato součást spolehlivé řízení napájení. Nízký odpor při zapnutí pouhých 6,2 mΩ zajišťuje minimální ztrátu energie během provozu, což je zásadní pro zvýšení účinnosti napájecích zdrojů. Tento MOSFET podporuje širokou škálu aplikací s komutovaným proudem a má certifikaci AEC-Q101, díky čemuž je vhodný pro automobilová prostředí. Jeho kompaktní pouzdro DPAK umožňuje lepší tepelný výkon ve stísněných prostorech.
Nízký odpor při zapnutí zvyšuje energetickou účinnost a snižuje tvorbu tepla
Jmenovité napětí 100 V podporuje různé vysokonapěťové aplikace
Nepřetržitý vypouštěcí proud 80 A umožňuje spolehlivý výkon při vysokém zatížení
Certifikace AEC Q101, která zajišťuje vysokou spolehlivost pro automobilové aplikace
Kompaktní pouzdro TO-252 umožňuje lepší řízení teploty a prostorově úsporné provedení
Robustní lavinová odolnost zajišťuje bezpečnost během přechodových podmínek
Vysoký ztrátový výkon 142 W vyhovuje náročným provozním potřebám
Pokovení bez obsahu olova a v souladu se směrnicí RoHS, v souladu s postupy šetrnými k životnímu prostředí