AEC-Q101, řada: AG502EED3HRB Jednoduché tranzistory MOSFET AG502EED3HRBTL Typ P-kanálový -30 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-467
- Výrobní číslo:
- AG502EED3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
103,74 Kč
(bez DPH)
125,52 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 51,87 Kč | 103,74 Kč |
| 20 - 48 | 45,82 Kč | 91,64 Kč |
| 50 - 198 | 40,88 Kč | 81,76 Kč |
| 200 - 998 | 33,22 Kč | 66,44 Kč |
| 1000 + | 32,11 Kč | 64,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-467
- Výrobní číslo:
- AG502EED3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | AG502EED3HRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 77W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 10.50mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada AG502EED3HRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 77W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 10.50mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový MOSFET ROHM navržený pro efektivní a spolehlivé řízení energie v automobilových systémech. Díky maximálnímu napětí odběru a zdroje -30 V a schopnosti nepřetržitého odběru proudu až 78 A je toto zařízení ideální pro náročné aplikace vyžadující robustní manipulaci s výkonem. Nízký odpor při zapnutí 8,5 mΩ minimalizuje ztrátu výkonu, což přispívá k vyšší tepelné účinnosti. MOSFET je navíc certifikován podle norem AEC-Q101, což zajišťuje, že splňuje přísné požadavky na odolnost a výkon pro automobilový průmysl. Díky vynikajícím lavinovým vlastnostem a širokému rozsahu provozních teplot zajišťuje model AG502EED3HRB konzistentní výkon v různých podmínkách.
Robustní konstrukce s certifikací AEC Q101 pro automobilové aplikace
Nízký odpor při zapnutí 8.5 mΩ optimalizuje energetickou účinnost
Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 78 A umožňuje zvládnout náročné zátěže
Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do 175 °C pro spolehlivý výkon
Tepelný odpor 1,94 °C/W zvyšuje schopnost rozptylu tepla
100% lavinové zkoušky, které zajišťují vysokou spolehlivost za přechodných podmínek
Pokovení bez obsahu olova a splnění norem RoHS pro ekologickou konstrukci