AEC-Q101, řada: RD3E07BBJHRB Jednoduché tranzistory MOSFET RD3E07BBJHRBTL Typ P-kanálový -30 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-470
- Výrobní číslo:
- RD3E07BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
44,78 Kč
(bez DPH)
54,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 22,39 Kč | 44,78 Kč |
| 20 - 48 | 19,79 Kč | 39,58 Kč |
| 50 - 198 | 17,765 Kč | 35,53 Kč |
| 200 - 998 | 14,30 Kč | 28,60 Kč |
| 1000 + | 14,01 Kč | 28,02 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-470
- Výrobní číslo:
- RD3E07BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | RD3E07BBJHRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 77W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, AEC-Q101 | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 10.5mm | |
| Šířka | 6.8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada RD3E07BBJHRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 52nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 77W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, AEC-Q101 | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 10.5mm | ||
Šířka 6.8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM s P-kanálem je navržen pro vysoký výkon v náročných aplikacích. S maximálním nepřetržitým vypouštěcím proudem ±78 A a přerušovacím napětím -30 V je tento MOSFET ideální pro použití v automobilovém a průmyslovém prostředí vyžadujícím vysokou účinnost. Kompaktní pouzdro DPAK umožňuje snadnou integraci do různých konstrukcí, zatímco nízký odpor při zapnutí 8,5 mΩ výrazně snižuje ztráty energie. Produkt je také certifikován podle normy AEC-Q101, která zajišťuje spolehlivost v náročných podmínkách, což z něj činí ideální volbu pro návrháře, kteří hledají vysoce kvalitní a odolné součásti pro své elektronické aplikace.
Nízký odpor při zapnutí pro vyšší účinnost a nižší tvorbu tepla
Maximální ztrátový výkon 77 W pro aplikace s vysokým výkonem
Navrženo pro široký rozsah provozních teplot -55 až +175 °C
Certifikace AEC Q101, která zajišťuje vysokou spolehlivost pro automobilové aplikace
Zajišťuje 100% lavinové testování pro vyšší odolnost při namáhání
Splňuje normy bez obsahu olova a RoHS pro použití šetrné k životnímu prostředí
Balení ve formátu DPAK pro snadnou montáž a integraci
Podporuje schopnost pulzního vypouštěcího proudu ±156 A pro dynamické podmínky zátěže.