AEC-Q101, řada: RD3L08BBJHRB Jednoduché tranzistory MOSFET RD3L08BBJHRBTL Typ P-kanálový 80 A 60 V ROHM, TO-252 (TL),
- Skladové číslo RS:
- 687-358
- Výrobní číslo:
- RD3L08BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (2 jednotky/-ek, na pásce po 2 ks)*
84,93 Kč
(bez DPH)
102,77 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 86 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 42,465 Kč | 84,93 Kč |
| 20 - 48 | 37,41 Kč | 74,82 Kč |
| 50 - 198 | 33,655 Kč | 67,31 Kč |
| 200 - 998 | 27,01 Kč | 54,02 Kč |
| 1000 + | 26,435 Kč | 52,87 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-358
- Výrobní číslo:
- RD3L08BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | RD3L08BBJHRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 6.8mm | |
| Normy/schválení | RoHS, AEC-Q101 | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 10.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada RD3L08BBJHRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 6.8mm | ||
Normy/schválení RoHS, AEC-Q101 | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 10.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
MOSFET ROHM s P-kanálem je navržen pro náročné aplikace vyžadující robustní řízení napájení. S maximálním jmenovitým napětím -60 V a proudovou kapacitou ±80 A je toto zařízení vhodné pro automobilové a průmyslové použití. Je vyroben v pouzdru TO-252 a zajišťuje efektivní tepelný výkon se ztrátovým výkonem až 142 W. Nízký odpor při zapnutí 10,7 mΩ zvyšuje účinnost výkonu, což z něj činí ideální volbu pro energeticky úsporné návrhy. Kromě toho je 100% testovaný proti lavinovým proudům a má certifikaci AEC-Q101, což zajišťuje spolehlivost v kriticky důležitých aplikacích.
Optimalizováno pro účinnost s nízkým odporem v zapnutém stavu, což zajišťuje nižší ztrátu výkonu
Robustní tepelný výkon umožňuje provoz v náročných prostředích s maximální teplotou spoje 175 °C
Vhodné pro aplikace s vysokým proudem a schopností nepřetržitého odběru proudu ±80 A
Certifikace AEC Q101 pro použití v automobilovém průmyslu, která zajišťuje soulad s přísnými standardy kvality
Embossed páskové obaly usnadňují automatizované montážní procesy
Plně odolné vůči lavinovému tepu, což zaručuje spolehlivý provoz za přechodných podmínek
Pokovení bez obsahu olova a v souladu se směrnicí RoHS, splňuje environmentální normy pro moderní elektronické součásti