AEC-Q101, řada: RD3E08BBJHRB Jednoduché tranzistory MOSFET RD3E08BBJHRBTL Typ P-kanálový -30 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-362
- Výrobní číslo:
- RD3E08BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
79,73 Kč
(bez DPH)
96,474 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 84 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 39,865 Kč | 79,73 Kč |
| 20 - 48 | 35,10 Kč | 70,20 Kč |
| 50 - 198 | 31,49 Kč | 62,98 Kč |
| 200 - 998 | 25,42 Kč | 50,84 Kč |
| 1000 + | 24,845 Kč | 49,69 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-362
- Výrobní číslo:
- RD3E08BBJHRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -30V | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Řada | RD3E08BBJHRB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 5V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.5mm | |
| Výška | 2.3mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Šířka | 6.8mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -30V | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Řada RD3E08BBJHRB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.5mm | ||
Výška 2.3mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Šířka 6.8mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový tranzistor MOSFET ROHM je navržen pro náročné aplikace vyžadující nízký odpor při zapnutí a vysokou schopnost zvládání proudu. Toto robustní zařízení pracuje při maximálním napětí drain-zdroj -30 V a nepřetržitém drainovém proudu ±80 A, což zajišťuje efektivní výkon v systémech řízení napájení. Jeho inovativní konstrukce zahrnuje tepelný odpor pouhých 1,05 °C/W, který optimalizuje spolehlivost a usnadňuje účinný rozptyl tepla. S certifikací AEC-Q101 je tento MOSFET vhodný pro automobilové aplikace, funguje v prostředích náchylných k extrémním kolísání teploty a zajišťuje spolehlivý provoz v náročných podmínkách.
Nízký odpor při zapnutí 3.7 mΩ zvyšuje účinnost a minimalizuje ztráty energie
Kapacita pulzního vypouštěcího proudu ±160 A pro aplikace s vysokou náročností
Jmenovité napětí zdroje hradla +5/-20 V zajišťuje univerzální provoz a robustní ovládání
Možnost montáže v pouzdru DPAK pro efektivní řízení tepla a kompaktní půdorys
Lavinové testování pro vyšší spolehlivost v elektrických prostředích s vysokým napětím
Certifikace AEC Q101, díky čemuž je ideální pro bezpečnostně kritické aplikace v automobilovém průmyslu.