AEC-Q101, řada: AG501EGD3HRB Jednoduché tranzistory MOSFET AG501EGD3HRBTL Typ P-kanálový -40 V ROHM, TO-252 (TL), počet
- Skladové číslo RS:
- 687-359
- Výrobní číslo:
- AG501EGD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 2 kusech)*
83,78 Kč
(bez DPH)
101,38 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 41,89 Kč | 83,78 Kč |
| 20 - 48 | 36,83 Kč | 73,66 Kč |
| 50 - 198 | 33,075 Kč | 66,15 Kč |
| 200 - 998 | 26,72 Kč | 53,44 Kč |
| 1000 + | 26,00 Kč | 52,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-359
- Výrobní číslo:
- AG501EGD3HRBTL
- Výrobce:
- ROHM
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | ROHM | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Jednoduché tranzistory MOSFET | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Řada | AG501EGD3HRB | |
| Typ balení | TO-252 (TL) | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 142W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.50mm | |
| Normy/schválení | AEC-Q101, RoHS | |
| Výška | 2.3mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka ROHM | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Jednoduché tranzistory MOSFET | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Řada AG501EGD3HRB | ||
Typ balení TO-252 (TL) | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 142W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.50mm | ||
Normy/schválení AEC-Q101, RoHS | ||
Výška 2.3mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Výkonový MOSFET ROHM s P-kanálem je navržen pro efektivní řízení energie v automobilových systémech a různých aplikacích. Díky maximálnímu napětí drain-source -40 V a schopnosti nepřetržitého drainového proudu až -80 A nabízí toto robustní zařízení výjimečnou spolehlivost v náročných provozních podmínkách. Díky nízkému odporu při zapnutí pouze 4,9 mΩ zajišťuje minimální ztrátu energie, což přispívá k lepší celkové účinnosti systému a tepelnému výkonu. Tento MOSFET je také certifikován podle normy AEC-Q101, což zdůrazňuje jeho vhodnost pro automobilové aplikace, kde musí být splněny přísné normy.
Nabízí nízký odpor při zapnutí pro nižší ztrátu výkonu a vyšší účinnost
Certifikace AEC Q101, která zajišťuje spolehlivost pro automobilový průmysl a kritické aplikace
Lavinové testování, které zaručuje výkon v dynamických podmínkách
Podporuje maximální ztrátu výkonu 142 W, kompatibilní s vysoce výkonnými konstrukcemi
Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do 175 °C umožňuje použití v různých prostředích
Pokovení bez obsahu olova a v souladu se směrnicí RoHS, splňuje moderní environmentální normy
Optimalizované specifikace balení, včetně možností zabudování pro automatizovanou montáž
Zajišťuje zaručenou hodnotu lavinové energie, která zajišťuje robustní provoz během přechodových událostí