AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET SQD50P04-09L_NE3 P-kanál-kanálový -50 A -40 V Vishay, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 904-967
- Výrobní číslo:
- SQD50P04-09L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 1 kusu)*
44,20 Kč
(bez DPH)
53,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
páska, -y | za pásku |
|---|---|
| 1 - 9 | 44,20 Kč |
| 10 - 24 | 28,60 Kč |
| 25 - 99 | 17,04 Kč |
| 100 - 499 | 16,76 Kč |
| 500 + | 16,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 904-967
- Výrobní číslo:
- SQD50P04-09L_NE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | P-kanál | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -40V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0094Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 136W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 103nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | ROHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu P-kanál | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -40V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0094Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 136W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 103nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení ROHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
MOSFET Vishay s P-kanálem je navržen pro efektivní řízení výkonu v prostředí s vysokými teplotami. Díky svým robustním specifikacím funguje efektivně v automobilových aplikacích.
Bez obsahu halogenů, v souladu s normou IEC 61249-2-21 pro ekologické použití
Nízký odpor v zapnutém stavu, který zajišťuje efektivní výkon
Certifikace AEC-Q101 splňující přísné normy pro automobilový průmysl
Vynikající tepelná odolnost pro lepší výkon při vysoké zátěži
Související odkazy
- řada: SQD Jednoduché tranzistory MOSFET SQD50P04-13L_NE3 P-kanál-kanálový 50 A 40 V Vishay počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 4
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení