MPN

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD70P04P4L08ATMA1 P-kanálový 70 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

35 300,00 Kč

(bez DPH)

42 725,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Series	OptiMOS™ -T2
	Typ balení	DPAK (TO-252)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	7,8 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2.2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1.2V
	Maximální ztrátový výkon	75 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-16 V, +16 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	71 nC při 10 V
	Délka	6.73mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Šířka	6.22mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Výška	2.41mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Series OptiMOS™ -T2
	Typ balení DPAK (TO-252)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 7,8 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.2V
	Maximální ztrátový výkon 75 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +16 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 71 nC při 10 V
	Délka 6.73mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Šířka 6.22mm
	Materiál tranzistoru Si
	Výška 2.41mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Nelze použít

Související odkazy