MPN

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD75N04S406ATMA1 N-kanálový 75 A 40 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

25 940,00 Kč

(bez DPH)

31 387,50 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	75 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Typ balení	DPAK (TO-252)
	Series	OptiMOS™ -T2
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	5,9 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	58 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	24,5 nC při 10 V
	Délka	6.73mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Šířka	6.22mm
	Materiál tranzistoru	Si
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	2.41mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 75 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Typ balení DPAK (TO-252)
	Series OptiMOS™ -T2
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 5,9 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 58 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 24,5 nC při 10 V
	Délka 6.73mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Šířka 6.22mm
	Materiál tranzistoru Si
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 2.41mm

Nelze použít

Související odkazy