řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD40N03S4L08ATMA1 N-kanálový 40 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

40 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Series

OptiMOS™ -T2

Typ balení

DPAK (TO-252)

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

8,3 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

42 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Počet prvků na čip

1

Šířka

6.22mm

Materiál tranzistoru

Si

Délka

6.73mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výška

2.41mm