řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1 N-kanálový 30 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

31 705,00 Kč

(bez DPH)

38 362,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 - 250012,682 Kč31 705,00 Kč
5000 - 1000012,357 Kč30 892,50 Kč
12500 +12,048 Kč30 120,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
857-4587
Výrobní číslo:
IPD30N03S2L10ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

30 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS™

Typ balení

DPAK (TO-252)

Typ montáže

Povrchová montáž

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

10 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

100 W

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Materiál tranzistoru

Si

Délka

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

31 nC při 10 V

Šířka

6.22mm

Maximální pracovní teplota

+175 °C

Počet prvků na čip

1

Výška

2.41mm

Minimální provozní teplota

-55 °C

Výjimka

Řada výkonových MOSFET Infineon OptiMOS™


Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro automobilový průmysl AEC Q101
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelené balení (bez olova)
Extrémně nízké Rds(on)


Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy