řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD90N03S4L03ATMA1 N-kanálový 90 A 30 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 166-1127
- Výrobní číslo:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 166-1127
- Výrobní číslo:
- IPD90N03S4L03ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 90 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
| Series | OptiMOS™ -T2 | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 4,4 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.2V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 94 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -16 V, +16 V | |
| Délka | 6.5mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 60 nC při 10 V | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Propustné napětí diody | 1.3V | |
| Výška | 2.3mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 90 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Series OptiMOS™ -T2 | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 4,4 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.2V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V | ||
Maximální ztrátový výkon 94 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +16 V | ||
Délka 6.5mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Šířka 6.22mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 60 nC při 10 V | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Propustné napětí diody 1.3V | ||
Výška 2.3mm | ||
Nelze použít
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Související odkazy
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD40N03S4L08ATMA1 N-kanálový 40 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD50N03S4L06ATMA1 N-kanálový 50 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD50N04S410ATMA1 N-kanálový 50 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD75N04S406ATMA1 N-kanálový 75 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPD70P04P4L08ATMA1 P-kanálový 70 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD036N04LGBTMA1 N-kanálový 90 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPD30N03S2L10ATMA1 N-kanálový 30 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPD220N06L3GBTMA1 N-kanálový 30 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si