MPN

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPI70N04S406AKSA1 N-kanálový 70 A 40 V, I2PAK (TO-262), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 500 kusech)*

8 146,50 Kč

(bez DPH)

9 857,50 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Typ balení	I2PAK (TO-262)
	Series	OptiMOS™ -T2
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	6,5 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	58 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	24,5 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	4.4mm
	Délka	10mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	9.25mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 70 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Typ balení I2PAK (TO-262)
	Series OptiMOS™ -T2
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 6,5 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 58 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 24,5 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 4.4mm
	Délka 10mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 9.25mm

Nelze použít

Související odkazy