řada: HEXFET MOSFET IRLZ34NPBF Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 541-1247
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-411
- Výrobní číslo:
- IRLZ34NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, výrobce končí s její výrobou.
- Skladové číslo RS:
- 541-1247
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 303-41-411
- Výrobní číslo:
- IRLZ34NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 35mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 68W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 8.77mm | |
| Délka | 10.54mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 35mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 68W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 8.77mm | ||
Délka 10.54mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFETy Infineon řady HEXFET, 30 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 68 W maximální ztrátový výkon - IRLZ34NPBF
Tento vysoce výkonný N-kanálový MOSFET je navržen pro účinnost v různých elektronických aplikacích. Má maximální trvalý proud 30 A a zvládne napětí dren-source až 55 V. Rozšířená schopnost režimu zajišťuje provoz za různých podmínek, což z něj činí cennou součástku pro řízení spotřeby v různých odvětvích.
Vlastnosti a výhody
• Nízký zapínací odpor 35 mΩ snižuje ztráty energie
• Vysoká schopnost rozptýlení energie 68 W zvyšuje výkonnost
• Rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje univerzálnost
• Typický náboj hradla 25nC při 5V umožňuje rychlejší spínání
• Kompaktní pouzdro TO-220AB umožňuje efektivní uspořádání desek plošných spojů
Aplikace
• Využívá se v měničích DC-DC pro účinnou konverzi energie
• Vhodné pro obvody ovladačů motorů v průmyslové automatizaci
• Efektivní v systémech řízení napájení pro obnovitelné zdroje energie
• Používá se při vysokorychlostním přepínání pro telekomunikace
Jaké je maximální napětí na hradle a zdroji?
Zařízení vydrží maximální napětí na hradle a zdroji ±16 V, což zajišťuje bezpečný provoz v různých obvodech.
Jak ovlivňuje teplota jeho výkon?
MOSFET pracuje efektivně v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C a zachovává si stabilitu i v extrémních podmínkách.
Lze jej použít ve vysokofrekvenčních aplikacích?
Ano, je navržen s typickým nábojem hradla 25 nC při 5 V, takže je vhodný pro vysokofrekvenční aplikace, jako jsou VF zesilovače.
Jaké jsou důsledky nízké hodnoty Rds(on)?
Nižší hodnota Rds(on) výrazně snižuje produkci tepla a ztráty výkonu, čímž zlepšuje celkovou účinnost při návrhu napájecích zdrojů.
Je kompatibilní s různými elektronickými obvody?
Toto zařízení je univerzální a lze jej integrovat do různých obvodů, včetně automobilové a průmyslové výkonové elektroniky.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 49 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 75 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení