řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 919-4797
- Výrobní číslo:
- IRFZ48NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
535,00 Kč
(bez DPH)
647,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 10,70 Kč | 535,00 Kč |
| 100 - 200 | 8,635 Kč | 431,75 Kč |
| 250 - 450 | 8,408 Kč | 420,40 Kč |
| 500 - 1200 | 8,191 Kč | 409,55 Kč |
| 1250 + | 7,993 Kč | 399,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 919-4797
- Výrobní číslo:
- IRFZ48NPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 130W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 8.77mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.54mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 130W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 8.77mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.54mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 64 A, maximální ztrátový výkon 130 W - IRFZ48NPBF
Tento výkonový tranzistor MOSFET je vhodný pro vysoce účinné aplikace, vyznačuje se robustním výkonem a pokročilými metodami zpracování. Poskytuje spolehlivou možnost pro různé elektronické konstrukce, zejména ve scénářích, kde je důležitá energetická účinnost.
Vlastnosti a výhody
• Podporuje trvalý odtokový proud až 64 A
• Využívá režim vylepšení pro zlepšení spínacích charakteristik
• Nízký RDS(on) 14mΩ zvyšuje účinnost
• Spolehlivě pracuje v teplotním rozmezí -55 °C až +175 °C
• Schopnost zpracovávat napětí na hradle a zdroji až do ±20 V
• Plně lavinově klasifikované pro bezpečnost v přechodných podmínkách
Aplikace
• Řízení indukčních zátěží v automatizačních systémech
• Obvody řízení spotřeby v průmyslových zařízeních
• Automobilové elektrické systémy a měniče výkonu
• Měniče DC-DC a napájecí zdroje
• Ovládání motoru vyžadující vysokou účinnost
Jaký je maximální ztrátový výkon?
Zařízení zvládne při vhodném chlazení maximální ztrátový výkon 130 W, což zajišťuje efektivní tepelnou správu ve scénářích s vysokým zatížením.
Jak ovlivňuje rozsah provozních teplot výkon?
Široký rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C umožňuje spolehlivou funkci zařízení v různých podmínkách prostředí.
Je toto zařízení kompatibilní se standardním uspořádáním desek plošných spojů?
Ano, je k dispozici v pouzdře TO-220AB, které se běžně používá v průmyslu pro jednoduchou montáž na desku plošných spojů a účinný odvod tepla.
Jaké aplikace nejvíce využívají vysokou rychlost přepínání této komponenty?
Výkonové tranzistory MOSFET s rychlými spínacími schopnostmi jsou ideální pro aplikace, jako jsou spínané zdroje a vysokofrekvenční měniče, kde jsou rozhodující nízké spínací ztráty.
Jak se má se zařízením zacházet při instalaci?
Při instalaci dbejte na správný montážní moment a vyvarujte se nadměrných teplot při pájení. Doporučuje se dodržovat standardní bezpečnostní pokyny, aby nedošlo k poškození.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ48NPBF Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFI3205PBF Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 74 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 49 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení