řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4804
Výrobní číslo:: IRL3705NPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 808,05 Kč

(bez DPH)

2 187,75 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

700 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 - 50	36,161 Kč	1 808,05 Kč
100 - 200	32,905 Kč	1 645,25 Kč
250 - 450	30,737 Kč	1 536,85 Kč
500 - 950	28,568 Kč	1 428,40 Kč
1000 +	26,399 Kč	1 319,95 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 919-4804
Výrobní číslo:: IRL3705NPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	89A
	Maximální napětí na zdroji Vds	55V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	10mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	98nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	170W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	9.02mm
	Délka	10.67mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 89A
	Maximální napětí na zdroji Vds 55V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 98nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 170W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 9.02mm
	Délka 10.67mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard Ne

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFETy Infineon řady HEXFET, maximální trvalý proud na odtoku 89 A, maximální ztrátový výkon 170 W - IRL3705NPBF

Tento N-kanálový tranzistor MOSFET je navržen pro vysoce výkonné aplikace a zároveň poskytuje vyšší účinnost a spolehlivost. Využívá pokročilou technologii HEXFET, vyznačuje se minimálním zapínacím odporem a je vhodný pro různé automatizační, elektronické a elektrotechnické aplikace. Zařízení pracuje v širokém rozsahu teplot, což zajišťuje efektivní výkon v různých prostředích.

Vlastnosti a výhody

• Nízký Rds(on) 10mΩ pro zvýšení účinnosti

• Pracuje v režimu vylepšení pro inovativní návrhy obvodů

• Možnost rychlého přepínání pro lepší odezvu systému

• Plně lavinově klasifikované pro odolnost v náročných situacích

Aplikace

• Vhodné pro průmyslové systémy řízení napájení

• Ideální pro motorový pohon v automatizaci

• Kompatibilní s napájecími zdroji, které vyžadují nízký tepelný odpor

• Využití v měničích DC-DC pro zvýšení energetické účinnosti

Jaký je maximální ztrátový výkon?

Maximální ztrátový výkon je 170 W, což usnadňuje efektivní tepelné řízení při vysokém zatížení.

Je vhodný pro vysoké teploty?

Toto zařízení může fungovat v teplotním rozsahu od -55 °C do +175 °C, takže je vhodné pro různé scénáře s vysokými teplotami.

Jaký význam má rozsah prahového napětí hradla?

Prahové napětí hradla se pohybuje od 1 V do 2 V, což je nezbytné pro určení zapnutého/vypnutého stavu při různých napětích hradla.

Jaké jsou důvody pro použití v obvodu?

Dbejte na to, aby napětí mezi hradlem a zdrojem nepřekročilo ±16 V, aby nedošlo k poškození a byla zachována optimální funkčnost.