řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 919-4858
Výrobní číslo:: IRF9Z24NPBF
Výrobce:: Infineon

řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 12 A 55 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

583,90 Kč

(bez DPH)

706,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
50 - 50	11,678 Kč	583,90 Kč
100 - 200	8,294 Kč	414,70 Kč
250 - 450	7,825 Kč	391,25 Kč
500 - 1200	7,237 Kč	361,85 Kč
1250 +	6,659 Kč	332,95 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 919-4858
Výrobní číslo:: IRF9Z24NPBF
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	12A
	Maximální napětí na zdroji Vds	55V
	Řada	HEXFET
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	175mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-1.6V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	19nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	45W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Výška	8.77mm
	Normy/schválení	No
	Délka	10.54mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A
	Maximální napětí na zdroji Vds 55V
	Řada HEXFET
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 175mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -1.6V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 19nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 45W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Výška 8.77mm
	Normy/schválení No
	Délka 10.54mm
	Automobilový standard Ne

MOSFETy Infineon řady HEXFET, 12 A maximální trvalý vypouštěcí proud, 45 W maximální ztrátový výkon - IRF9Z24NPBF

Tento vysoce výkonný tranzistor MOSFET je navržen pro efektivní řízení spotřeby v různých aplikacích. Díky P-kanálovému uspořádání je vhodný pro řízené spínání a zvýšený průtok proudu. Tento produkt hraje klíčovou roli při řízení výkonných zátěží a zajišťuje konzistentní výkon a tepelnou stabilitu v náročných podmínkách.

Vlastnosti a výhody

• Maximální trvalý odtokový proud 12 A

• Maximální napětí drain-source 55 V

• Nízký RDS(on) 175 mΩ pro snížení ztrát výkonu

• Funguje se záporným i kladným napětím na hradle a zdroji

Aplikace

• Používá se v systémech řízení napájení pro automatizaci

• Použití ve spínaných zdrojích pro elektroniku

• Přínosné v audio zesilovačích pro lepší výkon

• Běžně se používá v různé spotřební elektronice pro efektivní využití energie

Jaká je typická náplň brány pro optimální výkon?

Typický náboj hradla je 19nC při napětí hradlo-zdroj 10 V, což zajišťuje efektivní spínací charakteristiky.

Jak typ kanálu ovlivňuje funkčnost?

Jako P-kanálový MOSFET umožňuje lepší integraci do aplikací s vysokovýkonným spínáním, což rozšiřuje možnosti použití ve výkonových obvodech.

Jaký význam má teplotní rozsah?

Rozsah provozních teplot od -55 °C do +175 °C zajišťuje spolehlivost v různých prostředích, takže je univerzální pro různé průmyslové aplikace.

Lze jej použít ve vysokofrekvenčních spínacích aplikacích?

Ano, kombinace nízkého náboje a odporu hradla je vhodná pro vysokofrekvenční aplikace, což zvyšuje efektivitu výkonu.

Jaké aspekty je třeba zohlednit při instalaci?

Zajistěte správný tepelný management a vhodnou montáž, abyste usnadnili účinný odvod tepla, což může zvýšit životnost a spolehlivost v provozu.